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环亚娱乐平台高性能IGBT进步太阳能逆变器功率
来源:http://www.ynjshc.com 责任编辑:ag88环亚娱乐 更新日期:2019-04-14 17:00

  高性能IGBT进步太阳能逆变器功率

  跟着世界汽油价格的不断攀升,运输本钱和一切其他动力生产本钱也跟着石油价格的上涨而不断增大。一起,环亚娱乐app下载。人们对电力的需求也达到了一个史无前例的高度。相同糟糕的是,石化产品的价格也不可避免地进步了,导致广阔电子产品厂商运用元件本钱进步。面对这些高本钱问题和日益严厉的规则,广阔工程技能人员在尽力增强产品功能、进步电路功率、缩小产品尺度、改善制作工艺功率等方面承受着史无前例的压力。此外,管理机构正逐步进步对电子产品最低能效的要求,他们正对厂商施加越来越大的压力,迫使他们削减温室气体、有毒固体和液体废物的排放。一起,越来越多意识到本钱和环境问题的消费者也逐步要求运用包括更少有害资料的低能耗设备。但是,在有些区域布满着经济衰退乌云的局势下依然存在着一线曙光:广阔电子规划者仍有许多时机规划出新的产品,满意人们对绿色产品和根据太阳能和其他替代动力的产品需求。专家估量,商场每年对太阳能逆变器的需求大约增加30%;消费者需求更廉价的电子设备,下降产品本钱的一个重要途径就是进步太阳能逆变器的功率。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)可以协助产品规划者应对他们所面对的规划具有更高电路功率和功能的产品的应战。这类器材也称为电导调制场效应晶体管(CMFET),是MOSFET的近亲,首要在各种运用中用作电源开关。这些电压操控的器材在商场上随处可见,在高档开关电源设备中选用适宜的IGBT替代相似的MOSFET器材可以进步能效,下降产品本钱。

  一些供货商的产品及其广泛运用

  例如,安森美半导体公司供给了将近20种不同类型的IGBT,用于电子轿车焚烧、燃料加注体系和其他一些需求操控高电流和高电压开关的运用。该公司的产品特色是广泛选用集成ESD和过电压维护的单片集成电路。英飞凌公司针对高频电源开关运用供给了几款高速IGBT产品。该公司的TrenchStop IGBT 具有较低的饱满电压、较高的温度稳定性和很低的传导损耗,适用于电机驱动运用。这类晶体管的动态开关特性下降了关断进程的能量损耗,削减了电磁搅扰。STMicroelectronics公司制作的条状PowerMESH IGBT 适用于电机驱动、电子轿车焚烧、遮光器、高频电子镇流器、焊接设备、不间断电源和家用电器等范畴。这些300~1200V的晶体管具有很低的压降,适用于更高效的产品规划。该公司的V系列IGBT瞄准的是快速、高频的运用,供给了顺便和不带续流二极管两种装备。

  Microsemi公司推出了十几款支撑600V和1200V电压的专用IGBT。该公司的IGBT 产品支撑硬开关和软开关。这些IGBT首要瞄准的是焊接设备、电感加热器以及电信和医疗电子等运用。Microsemi 公司的DL 系列供给了超软的康复二极管,可以削减电磁搅扰,削减传导功率损耗,削减或撤销本来需求运用的缓冲器。Microsemi 的Power MOS8 IGBT支撑600V和900V的电压,针对工业设备、电池充电器和太阳能逆变器等运用供给了穿通技能。

  最新的场截止沟道技能

  飞兆半导体公司研讨了各种适用于不同运用的IGBT技能。例如,他们推出的场截止沟道式(F i e l d S t o pTrench)IGBT选用了最新的场截止结构和沟道栅单元规划,具有高速开关和低饱满电压的特色。支撑600V和1200V电压的这类晶体管适用于不间断电源、太阳能逆变器以及微波炉和感应加热类的运用。它们可以协助电子规划人员削减传导损耗和开关损耗,完成极高的功率。飞兆半导体公司一切共同的IGBT技能都经过了专门的优化,可以削减漂移电阻,沟道栅结构消除了器材中MOSFET 部分的寄生JFET电阻。与传统的NPT 沟道IGBT 器材比较,飞兆半导体的FGA20N120FTD可减小25%的传导损耗、8%的开关损耗。

  它们不只进步了设备的能效,并且大大下降了体系的作业温度。因而,运用这类IGBT的运用对冷却的要求较低,然后进一步削减了功耗,进步了功率和可靠性。这些晶体管还选用了零电压开关(ZVS)技能,环亚娱乐平台。内置了快速康复二极管(FRD),这也有利于进步产品的可靠性。飞兆凭仗其先进的场截止技能,供给了严密的参数散布,增强了抗雪崩击穿的才能,可以在雪崩作业形式下保持一致的功能,削减器材失效。这些器材都选用了长寿命规划,是高功能、低开关损耗和传导损耗运用的抱负挑选。在当时遍及呼喊节能的商场上,电子规划者有必要重视高能效器材,关键是要针对不同的运用挑选适宜的IGBT。不管你的产品需求怎么,商场上总有一款晶体管可以满意要求。
 

  

   太阳能逆变器IGBT

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